富二代成版人破解版工業爐講解燒結爐和退火爐不同點

燒結爐：

      將加工後的金屬產品，放入燒結爐中，用天氣熱與壓縮空氣在密閉室內燃燒，將產品表麵的衝壓油CxHy全部燒幹淨，同時也將金屬加熱到退火爐所需溫度，金屬表麵生成黑色積碳。

　　燒結爐是指使粉末壓坯通過燒結獲得所需的物理、力學性能以及微觀結構的專用設備。燒結爐用於烘幹矽片上的漿料、去除漿料中的有機成分、完成鋁背場及柵線燒結。

　　為了保證粉末壓坯在燒結過程中的脫蠟（潤滑劑或成形劑）、還原、合金化、組織轉變等順利進行，燒結時需要對燒結溫度、保護氣氛、壓坯傳送方式、加熱和冷卻速度等進行精確的控製。

　　因此，燒結爐在結構上應滿足以下要求：

　　(1)具有完善的潤滑劑燒除裝置（俗稱脫蠟帶）。

　　(2)具有氣密性，即能隔絕爐外空氣並保證爐內保護氣氛暢通。

　　(3)爐內的各段溫度可控，燒結氣氛可調。

　　(4)具有快速冷卻裝置，可將燒結零件快速冷卻到出爐溫度而不會氧化。

退火爐：

   將已經升溫後的，表麵有積碳的金屬產品，送入密閉的退火爐中；同時通入氣氛（使用天然氣與壓縮空氣燃燒發生不完全反應，得到CO+H2O+NO，殘餘CxHy和N2一同經自來水降溫，再經過冷凝器進一步降溫，得到產物為CO+CxHy+N2氣體（含有微量H2O））。將黑色積碳全部氧化成CO2。並將高溫下的金屬氧化物還原成金屬單質。得到高溫下的純金屬。

   用於工業生產的，燒結爐一般是溫度比較的高的，通常有粉末燒結爐（一般是網帶或者推杆式）或者真空燒結爐等，而退火爐有可以根據產品形狀分為台車式、井式、網帶式等。

退火爐是在半導體器件製造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界麵，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修複注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節能型周期式作業爐，超節能結構，采用纖維結構，節電60%。

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